来自普渡大学，密歇根大学和华中科技大学的研究人员使用了一种名为“激光冲击印记”的技术，将石墨烯永久性地强化为带隙，这意味着可以将其用于各种电子设备中。组件。

研究人员使用激光产生冲击波脉冲，穿透下面的石墨烯片。激光冲击将石墨烯拉伸到永久的沟槽状模具上。这导致石墨烯中的带隙扩大到2.1电子伏特的记录。此前，科学家们获得了0.5电子伏特，几乎没有达到基准，使石墨烯成为像硅一样的半导体。

“这是第一次努力实现如此高的带隙而不影响石墨烯本身，例如通过化学掺杂，”该论文的通讯作者Gary Cheng说，他是普渡大学工业工程教授。

该团队不仅保持了石墨烯中的带隙，而且还使其可以将间隙宽度从零调整到2.1电子伏特，使科学家和制造商可以根据他们想要的材料使用石墨烯的某些特性。去做。

据该团队称，在将石墨烯转变为半导体器件之前还有很长的路要走，但该技术为利用该材料的光学，磁性和热性能提供了更多的可能性。