来自日本名古屋工业大学（NITech）的研究人员开发出一种方法来检查原子和半导体二维层之间的连接，这可能在未来确保下一代电子产品的性能方面有用。

单层石墨烯在自支撑GaN界面上的制备工艺

该团队将一层石墨烯应用于氮化镓，这是一种常用的半导体。石墨烯由单层原子制成，而氮化镓是三维结构。石墨烯和氮化镓一起被称为异质结器件，对金属和半导体的界面特性具有显着的敏感性。

根据NITech的副教授Golap Kalita博士的说法，理解GaN异质结器件以及如何改善它们对于提高器件性能至关重要。“我们的团队找到了一种方法，通过在紫外线照射下表征器件来确定石墨烯和氮化镓异质结的界面特性，”Kalita说。

石墨烯和氮化镓之间的界面应该没有杂质，尤其是从光获得能量的杂质。当研究人员在异质结器件上照射紫外（UV）光时，他们发现光电子（激子）被捕获在界面处并干扰信息的传递。

氮化镓包含表面缺陷和其他缺陷，这些缺陷允许这种光激发电子被捕获在界面处。“我们发现石墨烯和氮化镓的界面状态对结的行为和器件性能有显着影响，”Kalita说。