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隶属于UNIST的一组研究人员设计了一种技术，可大大提高电子设备中使用的肖特基二极管（金属 - 半导体结）的性能。研究结果特别令人感兴趣，因为它们解决了金属半导体的接触电阻问题。
研究人员创造了一种新型二极管，其中石墨烯插入层夹在金属和半导体之间。他们证明了这种石墨烯层不仅基本上抑制了材料的混合，而且与理论预测相吻合，“在硅半导体的情况下，无论使用何种金属，结表面的电性能几乎都不会改变”。
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