碳基钙钛矿太阳电池（C-PSC）兼具稳定性和低成本的优势，是一种高性价比的光伏技术。钙钛矿薄膜不可避免会存在缺陷，并普遍存在于薄膜的表面和体相中，导致严重的非辐射复合损失，最终降低了电池效率和稳定性。因此，有效的缺陷钝化策略是提高电池性能的关键。通过卤化铵盐后处理来生成低维（LD）钙钛矿，被证明可以钝化钙钛矿缺陷，同时还可以修复薄膜表面孔洞。然而，溶液渗透性的限制导致LD钙钛矿层通常存在于薄膜的表层（小于200 nm）。因此，常规的LD钙钛矿钝化策略虽然可以很好地控制薄膜表面缺陷，但对更深处的体相缺陷无能为力，而这些缺陷在非辐射复合损失中也扮演着重要角色。

近日，华南农业大学的饶华商&钟新华团队提出了一种“湿膜处理”和“干膜处理”相结合的策略，分别用于钝化 CsPbI₃ 薄膜的表面和体相缺陷。根据卤化胆碱在中间相阶段的高渗透性，采用湿膜处理策略可以使LD 钙钛矿扩散整个 CsPbI₃薄膜，进而有效地钝化薄膜体相缺陷。在此基础上，通过调整胆碱类型优化器件的能级结构，促进载流子提取过程。最终，所组装的CsPbI₃ C-PSC取得了19.65%的效率，是碳基无机钙钛矿太阳电池的新纪录。

碘化胆碱（ChI）处理被证明可以有效钝化CsPbI₃薄膜的表面缺陷，在后处理晶化薄膜（干膜处理）过程中ChI与CsPbI₃通过离子交换反应形成1D ChPbI₃，从而构建1D/3D异质结构。然而，由于ChI渗透性的限制，Ch⁺很难穿透整个钙钛矿薄膜并在体相中形成LD钙钛矿。因此，传统的干膜处理不足以钝化CsPbI₃薄膜中的体相缺陷。鉴于此，作者利用ChI在湿膜阶段的高渗透性，对中间相薄膜进行进行处理，使1D ChPbI₃能够扩散到薄膜，进而钝化薄膜的体相缺陷。

PL测试结果表明，干膜处理更有利于钝化钙钛矿薄膜的表面缺陷，而湿膜处理更有利于钝化钙钛矿薄膜的体缺陷。为此，该工作采用湿膜/干膜联合处理的策略实现对CsPbI₃薄膜表面和体缺陷的协同钝化。另外，湿膜处理过程中ChPbI₃渗透到整个钙钛矿薄膜，有利于抑制体相中δ相的形成，进而提高了钙钛矿相的稳定性。

由于能级的不匹配，上述钝化策略在钙钛矿与碳电极界面处会形成向下的能带弯曲，产生了的空穴传输势垒不利于空穴提取。通过软件模拟发现，在湿膜处理过程中用ChCl代替ChI，能够将钙钛矿/碳界面从向下变为向上的能带弯曲，从页消除了空穴提取势垒，提高了载流子提取效率。最终，所组装的CsPbI₃ C-PSC取得了19.65%的效率。