相较于二维平面集成电路，三维电子器件由于具有更高的理论电子元器件集成密度、更灵活的电路设计以及更低的器件能耗等特点，成为消费级电子设备、植入式医用电子器械等研究领域的前沿热点。

然而，在三维电子器件的常规制备与加工过程中，竖直电极与层间接触位点处易出现粘接不紧、错位等现象，不仅影响层间电路的连接性，同时也限制了器件的竖直电路集成度。此外，由于电路基底多采用硅基或金属类基板，灰尘、高湿度、酸碱性腐蚀液等环境因素会造成电路与基板的腐蚀，降低器件的运行性能与使用寿命；而致密封装材料的使用阻碍了电子器件内外气体的交互，限制电子器件应用场景的同时，还易造成腐蚀性气体在电路表层的滞留。

近日，四川大学的冯文骞研究员团队以丙烯酸五氟苯酯作为疏水活性单体，通过光引发的相分离聚合方法在多种基底（如ITO导电玻璃或柔性PET等）表面一步制备具有胺取代活性的多孔超疏水聚合物涂层，并成功利用数字光处理（DLP）光源对超疏水材料表面进行无掩膜光刻，制备出区域表面能各异的活性超疏水材料。

该涂层不仅便于具有氨基官能团的功能（生物）分子在表面的固定，还能引导PEDOT：PSS导电水性分散液进行贯穿膜材的图案化浸润，在多孔聚合物骨架内原位生成竖直电极。不仅突破了三维电子器件中竖直电极在集成度与分辨率方面的限制，原位光刻工艺的引入也解决了层间电路精准连接的难题。活性超疏水作中间层同时也赋予该柔性三维电子器件优良的基底兼容性、透气性以及抗污自清洁等特性。

在该工作中，冯文骞研究员团队展示了一种新型的、具有氨基反应活性的超疏水涂层的简便制备方法，结合无掩膜光刻工艺，实现了多孔聚合物表面程序化的胺取代功能修饰，并在该活性多孔超疏水网络骨架中引导中间层内导通电路的原位生成，为三维柔性电子器件中竖直电极的制备与集成提供了一种崭新的设计思路。